我们都知道，IGBT发生短路时，需要在10us或者更短的时间内关闭IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他参数来进行调节，如栅极电压VGE，母线电压等，但最终都是为了保证IGBT不会因为过热而失效。而SiC
2022-08-07 09:55
内造成元器件损坏，但短路耐受时间意味着在发生短路时，可以承受而不至于损坏的时间，也称之为“允许的
2024-10-08 17:12
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路
2023-12-13 11:40
通常采用MOSFET饱和的短路电流，使用单脉冲持续的时间来评估功率MOSFET抗短路冲击的性能。从图3的应用测试波形可以
2018-04-25 09:00
短路耐受时间是指IGBT在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间。这个参数对于系统保护策略的设计至关重要，因为它决定了系统在检测到
2024-02-06 16:43
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路
2022-05-19 11:58
短路保护是在电路发生故障，比如不经过负载，导线的电阻几乎可以忽略不计，因此瞬间产生的极大的电流提供切断电源，防止设备损坏和造成事故。过载保护是指当电路中同时处于启动状态的负载引起的总电流超过该段导线能承受的额定电流时切断电源，防止导线等受损坏。正常情况下一平的铜
2017-04-27 15:08
由于其极低的开关损耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 为最大限度地提高功率转换器的效率提供了广阔的前景。然而，在确定这些设备是否是实际电源转换应用的实用解决方案时，它们的短路鲁棒性长期以来一直是讨论的话题。
2022-08-09 09:39
短路保护是在电路发生故障，比如不经过负载，导线的电阻几乎可以忽略不计，因此瞬间产生的极大的电流提供切断电源，防止设备损坏和造成事故。过载保护是指当电路中同时处于启动状态的负载引起的总电流超过该段导线能承受的额定电流时切断电源，防止导线等受损坏。正常情况下一平的铜导
2017-07-06 10:55
