条件：（1）短路保护的时间要快。（2）功率MOSFET可以在一定的时间内承受大的冲击电流。熟悉IGBT的工程师大多知道在
2016-08-24 16:02
。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受
2011-08-17 14:18
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路
2016-12-21 11:39
的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结通过金属物短路，从而避免寄生三极管的意外导通。当栅极没有加驱动电压时，功率MOSFET通过反向偏置的P-体区和N-的epi层形成
2016-09-06 15:41
`开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路——原理与应用 166页 1.9M`
2012-08-20 16:30
的气体或固体物质地区。未考虑电气间隙与爬电距离(应符合GB)等。此外，在电力系统中的某些事故也可能直接导致短路，如电杆倒塌、导线断线等：或动物、飞禽跨越导体时也会造成短路。 短路电流越大，持续
2012-11-09 16:17
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
极电阻 RCH : 沟道电阻 RJFET : JFET区电阻 REPI : 硅片顶层电阻，外延硅epi，epi控制着MOSFET可以承受的阻断电压的值 RSUBS : 硅衬底电阻，epi从它上面
2016-10-10 10:58
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
