条件：（1）短路保护的时间要快。（2）功率MOSFET可以在一定的时间内承受大的冲击电流。熟悉IGBT的工程师大多知道在
2016-08-24 16:02
风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受时
2023-02-27 16:03
短路保护时间设置在200μS至1000μS,这要求功率MOSFET在高的短路电流下，能够在此时间内安全的工作，这也提高了
2018-09-30 16:14
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00
。什么是雪崩失效本文的关键要点・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。・雪崩失效包括短路造成的失效
2022-07-26 18:06
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00
如何判断SW节点的振铃是否在MOSFET承受范围内？TI的许多集成MOSFET的同步降压芯片只标注了Vin的电压规格，对于集成的MOSFET的雪崩击穿能量等没有详细的参
2019-04-08 11:57
通过金属物短路，从而避免寄生三极管的意外导通。当栅极没有加驱动电压时，功率MOSFET通过反向偏置的P-体区和N-^^的epi层形成的PN结承受高的漏极电压。在高压器件中绝大部分电压由低掺杂的epi层来
2023-02-20 17:21
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受
2019-07-30 15:15
和特性几乎是相同的，因此理论上相同面积和氧化层厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的时间内承受大致相同的氧化层电场应力（相同的本征寿命）。但是，这只
2022-07-12 16:18
