电子发烧友网站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保护方法.pdf》资料免费下载
2024-09-02 09:10
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路
2023-06-01 10:12
在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中，由第三代半导体材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35
碳化硅功率器件已成为一种很有前途的技术，人们对降低能耗和在高开关频率应用下运行的兴趣日益浓厚。碳化硅还可以维持较高的工作温度，使其成为工业环境的合适候选者。宽带隙半导体器件的可用性使工程师能够设计电力电子系统以满足特定的应用要求。与 SiC 一样，氮化镓也属于宽带隙类别。在设计任何电力系统之前要考虑的一些主要因素是成本、效率、功率密度、复杂性和可靠性。
2022-07-29 11:15
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。
2022-07-30 09:42
我们都知道，IGBT发生短路时，需要在10us或者更短的时间内关闭IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他参数来进行调节，如栅极电压VGE，母线电压等，但最终都是为了保证IGBT不会因为过热而失效。而SiC MOSFET
2022-08-07 09:55
短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用，其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。
2024-04-17 12:22
电流互感器也是一种较为常见的电流检测方法， 使用时使流过负载电流的导线或走线穿过电流互感器， 进而在电流互感器输出端输出与负载电流成一定比例的感应电流。
2023-10-31 12:34
除了提供紧凑，高效的解决方案外，WBG材料还必须在异常或关键工作条件（例如短路和极端温度操作）的情况下满足安全要求。
2021-05-18 07:12
