随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性产生影响
2011-07-04 10:29
什么是沟道效应？ 沟道效应是指在晶体材料中，注入的离子沿着晶体原子排列较为稀疏的方向穿透得比预期更深的现象。
2024-02-21 10:19
短沟道效应严重制约了硅基晶体管尺寸的进一步缩小，限制了其在先进节点集成电路中的应用。开发新材料和新技术对于维系摩尔定律的延续具有重要意义。
2024-12-06 11:02
其中栅极方向与有源区方向呈垂直交错，中间白色的区域就是隔离区，或称为场区。我们最常见的照片是沿着有源区方向做截面的，如果沿着栅极方向做截面，则可以看到完整的沟道和场氧化层的截面。
2023-02-24 11:30
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由
2010-01-26 16:45
P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称P-MOSFET）是一种基于
2024-09-23 17:08
随着芯片特征尺寸的不断减小，传统的平面MOSFET由于短沟道效应的限制，难以继续按摩尔定律缩小尺寸。
2024-03-26 10:19
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。场效应管有两种
2023-09-02 10:05
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2022-11-18 11:28
