的变化进行孤岛效应检测。但当光伏系统输出功率与局部负载功率平衡，则被动式检测方法将失去孤岛效应检测能力，存在较大的非检测区域(Non-Detection Zone，简称NDZ)。并网逆变器的被动式反孤岛
2011-11-09 09:21
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V，该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电
2011-05-17 10:57
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
效应有什么关系？霍尔传感器的物理原理是霍尔效应，是霍尔效应的一种应用。我们来看看霍尔效应：当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，
2022-02-11 07:11
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工
2019-05-10 06:46
场效应晶体管（Junction FET）的简称，产生一个寄生的JFET，结型场效应管是以PN结上的电场来控制所夹沟道中的电流，从而增加通态电阻。平面MOSFET的RDS
2016-10-10 10:58
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
