mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
1 图中圆圈处，TFT 沟道中间那块金属的作用，既没有跟源级连，也没跟漏级连接。2 TFT 源级跟漏
2017-02-12 19:35
至nVo。因此初级总漏感Lk（即Lkp+n2×Lks)和Coss之间发生谐振，产生高频和高压浪涌，MOSFET上过高的电压可能导致故障。反激式转换器可以工作在连续导通模
2018-10-10 20:44
的增加，非饱和区和饱和区的分界电压有所增加。由此可以看出，MOSFET的导电行为同时受到栅极电压和端电压的影响。 MOSFET的工作原理中，还有一类情况就是MOSFET
2024-06-13 10:07
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型
2019-04-08 03:57
极)及D(漏极)，如图1d所示。从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底
2011-12-19 16:52
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源
2018-07-24 16:19
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46
反激变压器需要漏磁多少才合适，这个漏磁量通过那些参数计算出来的，如果漏磁过大或者过小有什么影响
2023-10-07 06:19
在其数据表中可以查到。D和S极加电压为VDD，当开通脉冲加到的G和S极时，输入电容Ciss充电，G和S极电压VGS线性上升到达阈值电压VTH，VGS上升到VTH之前
2016-11-29 14:36
