`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET
2019-07-09 17:30
@初中就开始混世的大魔王STM32L476入坑-1最近公司的项目需要低功耗，之前开发用MCU一直是stm32f103c8t6，但始终功耗还是不尽如人意，在选了很多芯片之后选择了stm32l476RG
2022-02-14 06:53
STM32L476 关键的功耗优化特性 (20分钟)• 任务1: 使用STM32CubeMX 建立一个基于NUCLEO-L476RG 板子的功耗测试工程 (15分钟)• 任务2: 使用CubeMX来计算
2023-09-11 07:49
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功
2017-03-06 15:19
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，
2017-02-24 15:05
2019-03-14 09:53
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电
2017-01-09 18:00
乐华RG25E彩电原理图文件下载
2021-05-28 07:27
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲
2019-04-19 17:45
，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工
2011-08-17 14:18
