TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
请问如果发相器的iv曲线，想要图中的波形变得类似于正弦波形，需要怎么样才能实现呢？用的是ltspice仿真的
2025-02-15 20:51
求一个可以实时测试IV曲线的程序，要求可以实时显示并储存所测内容。自己弄了半天在XY图中显示曲线和存储都搞定了，但只能测试完后一下把曲线全部显示出来，有没有办法可以实现
2015-04-24 14:08
依赖性该特性是用于设计在预定工作电流Id的情况下在什么栅极驱动电压下影响V_DS(on)区域(导通电阻区域)的特性曲线。对于功率MOSFET，根据栅极驱动工作电流生产1
2024-06-11 15:19
描述IV_Swinger_2_ss_cell_Rev_AIV Swinger 是用于光伏太阳能电池板的 IV 曲线跟踪器。硬件设计和软件都是开源的。此 GitHub 存储库包含
2022-06-29 07:31
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
hi 各位大神，请教大家一个关于编程的问题。我们通过实验测出了电流-电压曲线（Current-voltage, IV），然后想利用下面这个公式进行拟合。e 是的 electric charge
2018-07-31 23:39
的输出电容与电压相关；因此，单点测量并不能精确地表现组件的电容特性。透过使用曲线适配方法从该单点找出输出电容公式。公式1就是25V电压时的电容示例。这个公式的积分可用于代替可用公式中的单值电容。如图1及图
2014-10-08 12:00
描述IV_Swinger_2_module_Rev_B_2019-01-06这是一个 Arduino 屏蔽 PCB，用于为 PV 模块构建 IV 曲线跟踪器。此版本使用外部机电继电器 (EMR) 进行切换。PCB代码
2022-09-12 06:45
