需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高至1500V，
2021-05-06 09:57
在POWER MOSFET数据手册上，有些手册上只标明了Silicon limit，而且这个值往往很大。请问，在实际应用时，应该参照哪一个Id值。
2013-12-17 10:35
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压
2018-11-28 14:28
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当
2018-10-24 14:55
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于
2019-04-10 06:20
人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流ID是多少的状态呢？”。的确，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在
2019-05-02 09:41
是VGS电压从VTH增加到米勒平台电压VGS(pl)的区间，从这个过程可以非常直观的发现：MOSFET工作在恒流区，因为VGS的电压在变化，这个过程是一个动态恒流的过程，也就是VGS电压和ID电流自动找平
2016-11-29 14:36
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id
2018-12-03 14:29
公式：Id=kn(Vgs-Vth)2次方，kn怎样知道是多少?我用的管子是IRF540N的
2015-08-18 16:18
MOSFET自建模工具系统介绍从器件手册中获取MOSFET建模特性曲线Saber软件MOSFET直流特性中漏电流与栅源电压曲线（Id_Vgs)自建模一Saber软件
2017-04-12 20:43
