继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19
在POWER MOSFET数据手册上，有些手册上只标明了Silicon limit，而且这个值往往很大。请问，在实际应用时，应该参照哪一个Id值。
2013-12-17 10:35
对于单体系统来说，主键ID可能会常用主键自动的方式进行设置，这种ID生成方法在单体项目是可行的，但是对于分布式系统，分库分表之后，就不适应了
2023-01-09 10:43
P沟道20-V（D-S）MOSFET ID=6A VGS=±12V
2023-03-24 13:55
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高至1500V，
2021-05-06 09:57
公式：Id=kn(Vgs-Vth)2次方，kn怎样知道是多少?我用的管子是IRF540N的
2015-08-18 16:18
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压
2018-11-28 14:28
ID卡,什么是ID卡 ID卡全称身份识别卡(Identification Card)，是一种不可写入的感应卡，含固定的编号，主要有台湾SYRIS的EM格式、美国HID、TI
2010-04-02 13:41
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于
2019-04-10 06:20
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当
2018-10-24 14:55
