MOSFET 的极间电容较大，其等效电路如图 1 所示，输入电容 Ciss，输出电容 Coss 和反馈电容 Crss 与极间电容的关系可表示为： 功率 MOSFET 的栅极输入端相当于一个容性网络，它
2025-03-27 14:48
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET开关损耗 1 开通
2025-02-26 14:41
根据MOS管的Ciss、Qg、驱动频率是否可以算出需要的驱动电流或者驱动功率？
2022-06-22 17:14
当Vds电压升高时，MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候，MOSFET寄生电容越来越大，尤其是Coss电容。那么，随着电压的升高，Coss下降的是最快的，相对来说，Ciss稍微
2021-09-07 15:27
二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。图1: MOSFET的容量模型一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。算式
2019-04-10 06:20
、功率MOSFET寄生电容测试寄生电容的测试的条件为：VGS=0，VDS=BVDSS/2，f=1MHz，就是使用的测量电压为额定电压的一半，测试的电路所下图所示。(a) Ciss测试电路(b) Coss
2016-12-23 14:34
Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω，该值比前面的37Ω高，表明IGBT GFS较高，而CIES较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节
2018-08-27 20:50
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21
