MOSFET 的极间电容较大，其等效电路如图 1 所示，输入电容 Ciss，输出电容 Coss 和反馈电容 Crss 与极间电容的关系可表示为： 功率 MOSFET 的栅极输入端相当于一个容性网络，它
2025-03-27 14:48
mosfet关断)造成的损耗。此损耗与mosfet的输入电容ciss或反馈电容crss、栅极驱动电压vgs及开关频率fsw成比例。要减小此损耗，就要选择ciss或crs
2018-09-20 19:50
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00
根据MOS管的Ciss、Qg、驱动频率是否可以算出需要的驱动电流或者驱动功率？
2022-06-22 17:14
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET开关损耗 1 开通
2025-02-26 14:41
二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。图1: MOSFET的容量模型一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。算式
2019-04-10 06:20
当Vds电压升高时，MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候，MOSFET寄生电容越来越大，尤其是Coss电容。那么，随着电压的升高，Coss下降的是最快的，相对来说，Ciss稍微
2021-09-07 15:27
的等效电路就成了图 2 的样子了。但是，我们从MOSFET 的数据手册中一般看不到这三个参数，手册给出的参数一般是 CISS、COSS和CRSS（见图 1 ）， 图 1 某数据手册关于寄生电容的描述
2021-01-08 14:19
长期供应泰德IC MOSFET产品：[tr=transparent]针对快充应用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51
