1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00
2019-03-14 09:53
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲
2019-04-19 17:45
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工
2011-08-17 14:18
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46
Ciss和QG。图4：功率MOSFET开通损耗开通损耗没有考虑在开通过程中，Coss的放电产生的损耗，低压的应用Coss放电产生的损耗可以忽略，而高压的应用中，Coss放电产生的损耗甚至比上面的开通损耗还要大，因此在重点校核。
2017-02-24 15:05
