MOSFET 的极间电容较大，其等效电路如图 1 所示，输入电容 Ciss，输出电容 Coss 和反馈电容 Crss 与极间电容的关系可表示为： 功率 MOSFET 的栅极输入端相当于一个容性网络，它
2025-03-27 14:48
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高
2021-05-06 09:57
当Vds电压升高时，MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候，MOSFET寄生电容越来越大，尤其是Coss电容。那么，随着电压的升高，Coss下降的是最快的，相对来说，Ciss稍微
2021-09-07 15:27
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00
通常工程师在选用MOSFET时,会对其做哪些测试来判断它的性能,具体如何测试的,如温升,老化;求详细的解释~
2013-12-17 23:20
、功率MOSFET寄生电容测试寄生电容的测试的条件为：VGS=0，VDS=BVDSS/2，f=1MHz，就是使用的测量电压为额定电压的一半，测试的电路所下图所示。(a)
2016-12-23 14:34
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET开关损耗 1 开通
2025-02-26 14:41
导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt 的需求，可能需要进行电路内部测试与验证，然后根据MOSFET转换曲线可以确定大概的值 (见图3)。假定在导
2018-08-27 20:50
根据MOS管的Ciss、Qg、驱动频率是否可以算出需要的驱动电流或者驱动功率？
2022-06-22 17:14
的影响很小。例如，在PFC电路中，当FCP11N60 MOSFET的峰值电流ID为11A——两倍于5.5A (规格书中RDS(on) 的测试条件) 时，RDS(on)的有效值和传导损耗会增加5％。在
2017-04-15 15:48
