NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09
20v稳压电源电路图 (输出正负20V)
2009-05-13 18:28
在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs（
2024-09-29 09:53
可调的20V电源
2009-09-30 16:15
MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2，开启电压低至1.2V
2015-06-19 17:07
20v稳定电源电路
2009-05-13 18:25
描述 NP2307DR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和 工作电压低至1.8V。这 该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 VDS = -20v, id
2022-07-08 11:08
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET
2012-11-28 21:17
