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型号：HN3415 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应20V P沟道MOS管 HN3415 -20V -4A SOT-23 MOS，原装，库存现货热销HN3415D采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至

2022-11-28 17:42 深圳市三佛科技 企业号

型号：FDD<b class='flag-s-7'>20</b>AN06A0-VB 品牌：微碧

45A，开态电阻（RDS(ON)）为24mΩ@VGS=10V，门源电压（VGS）为20V，阈值电压（Vth）为1.8V。

2024-05-31 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：30NF<b class='flag-s-7'>20</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 一、产品简介30NF20-VB 是一款采用 TO247 封装的单N沟道MOSFET。它设计用于高电压和高功率应用，具有200V 的漏源电压（VDS）和 ±20V

2024-11-04 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AO9926B 品牌：芯驿电子

AO9926B双N沟道MOS管（20V 7.6A）

2022-05-18 11:45 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号

型号：06N<b class='flag-s-7'>20</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介06N20-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有200V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（

2024-07-03 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AM<b class='flag-s-7'>20</b>N10-250D-T1-PF-VB 品牌：微碧

100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 1.8V。采用 Trench 技术，该

2024-11-28 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FS8810 品牌：泛海微

FS8810 sot23-6 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A) PRODUCT SUMMARYFeatures

2022-12-20 18:24 泛海微电子 企业号

型号：HN2300 品牌：

深圳市三佛科技有限公司供应20V 5.2A SOT-23 N沟道 MOS管HN2300，原装，库存现货热销 HN2300参数：    20V 5.2A  

2022-11-28 17:55 深圳市三佛科技 企业号

型号：APT<b class='flag-s-7'>20</b>M40BVR-VB 品牌：微碧

200V，最大栅源电压（VGS）为±20V。它的阈值电压（Vth）为4V，采用沟槽技术，提供较低的导通电阻和高电流处理能力。这使得APT

2024-12-31 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号