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型号：HN3415 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应20V P沟道MOS管 HN3415 -20V -4A SOT-23 MOS，原装，库存现货热销HN3415D采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至

2022-11-28 17:42 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>20</b>P03-VB 品牌：微碧

Ω @ 4.5V 额定栅极源极电压（Vgs） 20V (±V) 阈值电压（Vth） 1.3V 封装类型 TO252应用简

2023-11-06 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：900N<b class='flag-s-7'>20</b>NS3-VB 品牌：微碧

电压 (VDS) 能力，适合于中等电压应用的电路设计。该器件的栅源电压 (VGS) 为 ±20V，阈值电压 (Vth) 约为 3V。在 VGS=10

2024-11-22 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：75NF<b class='flag-s-7'>20</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 产品简介：MOSFET型号：75NF20-VB  封装：TO263  配置：单N沟道  耐压（VDS）：200V  栅极-源极电压（

2024-11-20 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：12N<b class='flag-s-7'>20</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介：12N20-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有200V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（

2024-07-05 16:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：13N<b class='flag-s-7'>20</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的13N20-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（

2024-07-06 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AO9926B 品牌：芯驿电子

AO9926B双N沟道MOS管（20V 7.6A）

2022-05-18 11:45 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号

型号：12DN<b class='flag-s-7'>20</b>N-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的12DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（

2024-07-05 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HN2300 品牌：

深圳市三佛科技有限公司供应20V 5.2A SOT-23 N沟道 MOS管HN2300，原装，库存现货热销 HN2300参数：    20V 5.2A  

2022-11-28 17:55 深圳市三佛科技 企业号