MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器
2023-02-09 10:19
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 下面是我对MOSFET及MOSFET
2009-12-29 10:41
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电流大小并不是一个固定的值，它受到多种因素的影响，包括MOSFET的具体型号、工作条件（如开关频率、栅极电压VGS、漏源
2024-07-24 16:22
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 由于
2024-10-29 10:45
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247
2022-06-08 14:49
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
，为什么设计MOFET驱动电路时，栅极驱动电流要大呢？ 要想回答上面的问题，就不得不聊聊MOSFET中的米勒平台电压，也就是Miller Plateau Voltage，它是指在
2025-01-02 09:27
MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅源振荡的现象呢？ MOSFET（金属-氧化物
2024-03-27 15:33
是完美的选择，它们可以根据其栅极（门极）上的电压来控制其漏极-源极引脚上的更大电流。然而，有时 MOSFET 本身也需要一个驱动器。在探讨 MOSFET
2023-10-16 09:19
