损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或
2020-04-05 11:52
MOSFET的损耗主要包括如下几个部分：1导通损耗，导通损耗是比较容易理解的，即流过MOSFET的RMS电流在
2017-11-22 17:26
MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关
2023-02-09 10:19
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗
2023-04-18 09:22
为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不同。相对IGBT，MOSFET可以反
2025-06-18 17:44
MOSFET的损耗分析
2019-04-17 06:44
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）的开关损耗是电子工程中一个关键的性能参数，它直接影响到电路的效率、热设计和可靠性。下面将详细阐述
2024-09-14 16:11
本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使用近似公式计算功率损耗
2025-06-12 11:22
功耗是指MOSFET在指定的热条件下可以连续耗散的最大功率。对于MOSFET驱动器而言，其功耗主要由三部分组成：驱动损耗
2024-10-10 15:58
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法；并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
2015-09-18 14:33
