损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或
2020-04-05 11:52
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及
2017-02-24 15:05
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小
2017-03-06 15:19
MOSFET的损耗主要包括如下几个部分：1导通损耗，导通损耗是比较容易理解的，即流过MOSFET的RMS电流在
2017-11-22 17:26
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET
2025-02-26 14:41
，有更细腻的考虑因素，以下将简单介绍 Power MOSFET 的参数在应用上更值得注意的几项重点。 1 功率损耗及安全工作区域(Safe Operating Area, SOA) 对 Power
2025-03-24 15:03
。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14
MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关
2023-02-09 10:19
Mosfet的损耗主要有导通损耗，关断损耗，开关损耗，容性损耗，
2020-01-08 08:00
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
