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BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

实现包括安防管理、交通疏导、广告宣传等多重功能，极大地提高了城市管理的智能化水平。本篇就结合LED屏幕设备，详解智慧路灯杆LED屏在不同场景中的应用。 &

2024-05-20 17:46 佰马科技 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。  ir2110替代芯片ID7

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

在LCD背光显示器领域，LCD（液晶显示器）背光技术是目前显示行业的主流方案之一，下面给大家带来一款应用于LCD背光显示屏驱动芯片FP7103，作为关键驱动元件，凭借其单独调光脚和开关脚以及高精度恒

2025-04-29 10:07 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号

。每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该模块还提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，并

2024-04-07 21:44 深圳上大科技 企业号

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGB

2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号