康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源
2019-04-08 03:57
Δt为0.52us，即MOSFET导通时间间隔为0.52us。 假设VDC_IN为3.3V，DC/DC转换器的输出电压为1.1V，PWM信号的恒定高电平时间为0.52uS。 当 MOSFET 导
2023-05-17 07:27
关闭MOSFET。（根据我的理解）我试图使用HIGH侧的N-MOSFET向栅极提供电压，请参见此屏幕截图（不使用正确的电路软件道歉）： 尽管N-MOSFET显示为
2018-08-23 10:30
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动
2019-03-05 09:53
，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使
2019-08-06 06:28
LPC55S69内部DC/DC转换器，导通时间Δt为0.52us，即MOSFET导通时间间隔为0.52us。 假设VDC_IN为3.3V，DC/DC转换器的输出电压为1.1V，PWM信号的恒定高电平
2023-05-18 08:05
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
变压器饱和次级电压为0和次级电压跌落不为零怎么理解，求教谢谢
2023-08-01 11:09
这是MOSFET驱动电压，请大神指点，其中的高电平电压波动原因是什么？
2022-05-24 09:32
怎样解决MOSFET并联工作时出现的问题？ 来纠正传统认识的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05
