不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率
2017-09-22 11:44
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图
2018-09-05 15:37
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图
2015-11-19 15:46
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
MOSFET的失效机理至此，我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效
2022-07-26 18:06
器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件（特别是可能发生雪崩击穿的器件）或者热沉的温度，来监测MOSFET器件是否存在过热情况。3、UIS测试方法UIS
2019-08-29 10:02
。计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。不少公司都有提供其器件测试的详情，如飞兆半导体提供了“Power MOSFET
2011-08-17 14:18
输入电压19V，通常选用30V的功率MOSFET，根本不需要任何的考虑。数据表中功率MOSFET的击穿电压BVDSS有确定的测试条件，在不同的条件下具有不同的值，而且BVDSS具有正温度系数，在实际
2019-04-04 06:30
的雪崩耐用性评估方法不是进行典型的UIS测试（这是一种破坏性测试），而是基于对SiC功率MOSFET的全面表征，以更好地
2019-07-30 15:15
在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试
2018-08-15 17:06
