电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的
2021-06-24 08:01
为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00
，进而使SCR导通。 实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MO
2024-08-08 06:58
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、
2023-02-27 10:02
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34
集中度，决定了阈值电压VTH的大小。在很多电力电子和电源系统中，使用得最多的是通用驱动的功率MOSFET，也就是使用12V或15V的栅极驱动电压。这种类型功率MOSFET
2019-08-08 21:40
不同的工艺角和温度下，晶体管的阈值电压变化，反相器的翻转电压有较大偏差，从而翻转时对应的电源电压偏差也较大，该指标不满足设计要求。想问问大家知道有没有什么补偿电路可以进
2021-06-25 07:26
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51
混合SET/MOSFET 结构与特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合结构的传输特性去设计数值比较器？
2021-04-13 07:12
