MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。MOSFET的
2024-05-30 16:41
74HC14是施密特触发器。正向阈值指输入端电压由低变高达到输出翻转时的值。反向阈值指输入电压由高到低变化输出翻转时的输入电压
2018-10-24 09:30
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，MOSFET 耗尽区的电荷的变化，
2019-06-18 17:19
在芯片制造的纳米世界里，阈值电压(Threshold Voltage, Vth)如同人体的“血压值”——微小偏差即可导致系统性崩溃。作为晶圆接受测试(WAT)的核心指标之一，Vth直接决定晶体管
2025-05-21 14:10
Vt指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）。具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为
2023-03-10 17:43
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚阈值电压对电池延迟的影响。(注：以下电阻公式是关于NMOS的。您也可以为PMOS导出类似的公式(只需将下标“n”替换为“p”)。
2023-09-07 10:03
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关M
2018-09-23 11:17
本文开始介绍了单限比较器的电路和单限比较器的理论分析及计算，其次介绍了单限电压比较器的工作原理，最后介绍了单限比较器阈值的电压计算。
2018-02-26 15:58
法的优缺点， 并指出阈值电压和体二极管压降作为 TSEP 具有显著优势;最后分析了 TSEP 法在目前工程应用中面临的挑战， 并对未来的研究工作进行了展望。
2023-04-15 10:03
电压比较器的输出电压与输入电压的函数关系 U0＝f（uI），一般用曲线来描述，称为电压传输特性。
2017-11-07 10:47
