AD7911ARMZ 特性吞吐量:250 kSPS额定电压(VDD):2.35 V至5.25 V低功耗: 4 mW(典型值,250 kSPS、3 V电源) 13.5 mW(典型值,250 kSPS
2024-03-25 11:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AD7713ANZ 特性电荷平衡ADC- 24位无失码- ±0.0015%非线性度内置可编程滤波截止的低通滤波器读/写校准系数AD7713ANZ 双向微控制器串行接口3通道可编程增益
2024-03-25 11:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变
2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
IRLF120 功率MOSFET详解产品概述:IRLF120 是一款高效的N沟道功率MOSFET,专为低电压高电流应用设计。其优越的导通性能和快速的开关特性,使其成为电
2024-10-27 18:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
IRFY440CM 功率MOSFET详解产品概述:IRFY440CM 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为高频开关应用而设计。它具有较低的导通电阻和快速的开关特性
2024-10-27 18:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
基础的专有可编程增益前端。调制器输出由片内数字滤波器处理。此数字滤波器的第一个陷波可通过片内控制寄存器进行编程,以便对滤波器截止和建立时间进行调整。该器件具有一个差分模拟
2024-03-25 11:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AD1674TD/883B 特性完整的单芯片12位、10 µs采样ADC片上采样保持放大器工业标准引脚排列8位和16位微处理器接口交流和直流规格经过全面测试单极性和双极性输入输入范围:±5 V
2024-03-25 09:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号