为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00
短路，只有一个端子。它是一个三端器件：源极、漏极和栅极。阈值电压（Vth）没有外部控制。 独立栅极 FET（IG 鳍式场效应晶体管）是一种四端子器件（图 7）。这种布置是一种双栅极器件，其栅极通过掩蔽
2023-02-24 15:20
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而
2021-06-24 08:01
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源
2019-04-08 03:57
，进而使SCR导通。 实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57
有一个电流源，其电流大小未知，其变化范围从微安到几十毫安（5V供电），需要设计一个可控电路，或接通后电流源可对电容充电，或断开。试着采用NMOS管实现开关作用，利用NMOS的栅源电压大于阈值电压时漏
2017-05-19 11:44
，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加负向电压沟道电阻变小，加正向电压导电沟道变小，而且正向
2024-01-30 11:38
栅漏电流噪声特性是什么？栅漏电流噪声有哪几种模型？这几种模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，
2024-08-08 06:58
