2020-08-13 11:39
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
，就会形成一个薄的高质量的氧化层，从而产生沟道。 工作原理是：栅极和源极间加正向电压，P-区中的少数载流子，即“少子”，也就是电子，被电场吸引到栅极下面的表面，随着栅极和源极正向偏置
2016-10-10 10:58
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充
2022-11-16 08:00
MOSFET。功率MOSFET的无损保护是LM9061。通过电源设备的电压降（VDS）持续监测，并与外部可编程阈值电压进行比较。小电流感应电阻与负载串联，导致损耗保护电
2020-07-14 14:53
ADP2386的典型应用编程输入电压UVLO上升阈值为11 V，下降阈值为10 V，VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47
转换，负载开关，电机控制，背光，电池保护，电池充电器，音频电路和汽车。推荐产品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相关产品请点击此处前往特征：低导通电阻低栅极阈值电压输入
2019-05-13 11:07
24V/100mA，随后连接 TLV70450 LDO 以提供 5V/20mA 输出。主要特色166VAC 至 528VAC 高电压输入采用共源共栅 MOSFET 的降压转换器24V/100mA 和 5V/20mA
2018-09-07 08:57
和漏极之间就相当于两个反接的二极管，这时源漏之间不管多大的电压也不能导通，没有导电沟道。当栅加正电压时，绝缘层下的P衬底感应出电子，使
2012-07-05 11:30
