的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS
2023-02-09 10:19
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS
2018-11-28 14:28
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
应用图 4 显示了使用功率 MOSFET 应用的工作条件，其中负载电感和工作频率为参数。市场要求是（1）提高节能性，（2）降低噪音（环境考虑），（3）更小、更薄的设计。对于功率MOSFET所要求的特性，
2024-06-11 15:19
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性
2018-06-29 11:10
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。trr是二极管
2018-11-27 16:40
