商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千
2025-03-12 15:53
MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通
2019-10-31 17:03
程师的这些要求。英飞凌几年前开发的OptiMOS™3技术相对于现有的其他MOSFET技术，可使通态电阻RDS(on) 大幅降低60%。另外还可大幅降低CGS （栅极至源极）和 CGD （栅极至漏极）电容
2018-12-06 09:46
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行
2009-12-13 20:02
的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通
2021-09-05 07:00
和动态均流问题；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态
2021-08-29 18:34
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关
2023-02-27 11:52
时，MOSFET 被驱动关断;-- [t5-t6]区间，MOSFET 的Cgs 电压经驱动电路电阻放电而下降，在t6 时刻，MOSFET 的通
2020-04-01 11:09
