没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响，就会发现，功率
2016-09-26 15:28
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
的电压才慢慢增加，进入到可变电阻区，最后，VGS稳定在最大的栅极驱动电压，Miller平台区的电压和系统最大电流的关系必须满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性。
2016-08-15 14:31
刚写的DMA数据转移转移程序，使用usart打印到串口调试上。。。
2015-10-13 10:56
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MO
2021-07-29 09:46
关于触头材料转移的基础知识 一．电磨损与材料转移的关系动、静触头在分合电路过程中，在触头间隙中进行着剧烈的热和电的物理过程，伴随而产生金属液桥、电弧和火花放电等
2009-10-13 16:04
2021-09-04 11:09
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MO
2021-10-28 10:06
1：为啥MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加，即呈现正温度系数呢？2：为什么二极管的反向耐压是随温度上升而降低呢？以上此文都详细分析了其中的原理。
2020-09-17 13:58
2021-05-18 09:50
