我看mosfet的技术手册，有两个转移特性曲线，但是不知道这两个的区别在哪，为什么不一样？
2015-10-23 20:51
IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。刚接触那会儿，看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉，加之网上查询的资料一概笼统简单，只描述
2019-10-17 10:08
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
，即MOSFET的导通电阻RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为导通电阻RDS(ON)的负温度系数区域。 图2：MOSFET转移特性而在VGS-ZTC电压的右上
2016-09-26 15:28
依赖性该特性是用于设计在预定工作电流Id的情况下在什么栅极驱动电压下影响V_DS(on)区域(导通电阻区域)的特性曲线。对于功率MOSFET，根据栅极驱动工作电流生产1
2024-06-11 15:19
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
的输出电容与电压相关；因此，单点测量并不能精确地表现组件的电容特性。透过使用曲线适配方法从该单点找出输出电容公式。公式1就是25V电压时的电容示例。这个公式的积分可用于代替可用公式中的单值电容。如图1及图
2014-10-08 12:00
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
MOSFET自建模工具系统介绍从器件手册中获取MOSFET建模特性曲线Saber软件MOSFET直流
2017-04-12 20:43
电机特性曲线
2012-02-01 21:34
