没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响，就会发现，功率
2016-09-26 15:28
我在应用INA293作为高侧采样测量MOSFET转移特性时；我的电路比较简单，VDD接采样电阻，采样电阻接MOSFET漏极，M
2024-07-29 06:23
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
转移特性曲线：固定VDS值，MOS晶体管的源漏电流IDS随栅源电压VGS的变化曲线。
2023-12-01 14:15
的漏极导通特性 当MOSFET工作在线性区(恒流区)时MOSFET具有信号放大功能，栅极的电压和漏极的电流基于其跨导保持一定的约束关系。栅极的电压和漏极的电流的关系就是MOSF
2016-11-29 14:36
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
