二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。图1: MOSFET的容量模型一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。算式
2019-04-10 06:20
，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率
2018-11-28 14:28
【非常牛逼资料分享】深入理解MOSFET规格书datasheet需要原版稳定的朋友，请自行回帖下载。 [hide]https://pan.baidu.com/s/1o85LQWE[/hide] 文章比较长，截了一部分资料的图片如下
2017-10-24 16:45
2个系列相关的技术信息链接。要想更深入了解产品，需要确认技术规格的规格值和特性图表，这一点是很重要的。关键要点:・PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻、低栅极总电荷量特征、且
2018-11-28 14:27
MOSFET的失效机理至此，我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用
2022-07-26 18:06
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53
人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流ID是多少的状态呢？”。的确，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET
2019-05-02 09:41
。・MOSFET的漏极电压和电流及输出整流二极管的耐压・变压器的饱和・Vcc电压・输出瞬态响应和输出电压上升波形・温度测量和损耗测量・电解电容器 首先，说明通常规格的评估，并说明检查要点的区别。下表作为
2018-11-27 16:50
`请问像9926、8814这样的双MOSFET的规格书里所描述的导通内阻Rds(on)是指其一个MOSFET的内阻还是指两个MOSFET串联后的总内阻呢？望知道的朋友解
2012-10-03 15:57
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而
2018-07-12 11:34
