节温器的损坏，通常是腔体内蜡质材料的缺失导致的受热膨胀不足，造成的节温器无法正常打开，从而使冷却液温度在达到高温后，无法实现“大循环”。但是缸套内的冷却液温度仍然会不断
2019-11-16 09:11
场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断特性、 输出特性、 转移特性等参量， 以便找到能够表征结 温特性
2023-04-15 10:03
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。
2024-10-29 10:45
MSC-51 3字节和4字节浮点数计算程序，主要用于数据采集及上传，经过IEEE转换，在上位机直接显示。 ;这是本人使用的MSC-51 3字节和4字
2018-11-14 16:12
今天我们主要分享一下LDO的效率问题以及温升计算，这在进行LDO选型时，是必不可少的评估点。“效率”是指功率转换效率，线性和开关稳压器都适用相同的概念。提高线性稳压器效率的关键在于如何减少功率损耗问题。
2021-03-14 17:03
JA是热阻的单位，用来表示空气到结温的阻值，单位是℃/W或Ｋ/W。做电路设计都需要用到以下的公式来计算元器件的结温： TJ=TA+JAPH 式子中：TJ表示元器件的结温
2020-10-23 16:49
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻（RDS（ON）），计算RDS（ON）看似是一个很好的着手之处。但MOSFET的导通电阻取决于结温TJ。返过来，TJ
2019-06-18 14:56
本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结
2022-08-01 14:30
本文主要介绍了温补晶振结构介绍，温补晶振原理，TCXO的应用。温补晶振（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的
2018-03-02 14:14
