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  • N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用

    电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道

    2021-05-27 12:18

  • N沟道耗尽MOSFET的结构、特性曲线

    N沟道耗尽MOSFET 1) N沟道耗尽MOSFET的结构 N

    2009-09-16 09:41

  • 增强型和耗尽MOSFET的区别

    功率 MOSFET 最常用于开关模式应用中,它们用作开关。然而,在 SMPS 中的启动电路、浪涌和高压保护、反极性保护或固态继电器等应用中,功率 MOSFET 在栅极到源极电压 VGS 为零。当 VGS=0V 时作为正常“导通”开关工作的功率

    2022-09-11 09:11

  • 耗尽MOSFET的基本概念、特点及工作原理

    在现代电子技术中,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种关键且广泛使用的电子器件。耗尽

    2024-05-12 17:19

  • 部分耗尽SOI器件新体接触技术可有效克服MOSFET中的浮体效应

    SOI技术带来器件和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响,其中最大的问题在于部分耗尽SOI器件的浮体效应。当器件顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时,由于结构中氧化埋层的隔离作用,器件

    2020-08-05 14:45

  • 耗尽MOSFET的符号/工作原理/类型/特性/应用场景

    MOSFET的设计主要是为了克服FET的缺点,例如高漏极电阻、中等输入阻抗和运行缓慢。MOSFET有增强型和耗尽型两种。本文主要介绍耗尽

    2023-07-05 14:55

  • 增强型和耗尽MOSFET之间的区别是什么?

    MOSFET可进一步分为耗尽型和增强型。这两种类型都定义了MOSFET的基本工作模式,而术语MOSFET本身是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。

    2023-06-28 18:17

  • UltraVt超高阈值耗尽MOSFET的应用原理

    ARK(方舟微)研发的UltraVt ®超高阈值耗尽MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。

    2023-11-18 16:00

  • IGBT和BJT、MOSFET之间的联系

    此时P区多子“空穴”在电场的作用下向N区运动,N区多子电子相反,使耗尽层变窄至消失,正向导电OK,也可以理解成外加电场克服耗尽层内电场,实现导电,该电压一般为0.7V或0.3V。二极管正向导通的原理即是如此。

    2021-02-01 16:27

  • 不同工作区域的MOSFET各端子之间的电容是多少?

    器件关断时,源漏不导通,没有反型。栅极到源极和漏极的电容是相等的,都是等于CovW,栅极到衬底的电容是由氧化电容和耗尽层电容串联得到。

    2023-09-18 16:49