在现代电子技术中，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种关键且广泛使用的电子器件。耗尽
2024-05-12 17:19
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)
2023-11-08 11:28
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化
2024-08-02 09:14
当电路工作时，电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高，但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性，其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压，即V R_MAX =|V TH |。因此在该条件下，上述应用可以作为恒流源给IC供电。
2023-11-07 14:39
增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂
2019-11-25 14:30
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，
2022-09-13 14:38
下沉，这样在其内部形成P柱，和N区非常宽的接触面产生宽的耗尽层，也就是空间电荷区，空间电荷区形成的电场，也就是横向电场，保证器件的耐压；同时，原来N区漂移层就可以提高掺杂浓度，降低导通电阻。和标准MOSFET相比，横
2021-05-02 11:41
场效应晶体管可广泛用于模拟电路和数字电路。因为该FET的栅极由绝缘层隔离，所以也称为绝缘栅极FET。MOSFET可分为N沟道耗尽型和增强型；有四大类P沟耗尽型和增强型。
2023-02-09 18:07
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。N沟道
2019-07-06 09:48
