值。若工作电流超过额定电流，则电感器就会因发热而使性能参数发生改变，甚至还会因过流而烧毁。电容的主要特性参数电容的主要参数
2016-05-23 11:40
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多
2021-06-01 07:55
依赖于二极管结电容的大小。 1 理论分析 在微波工作状态下，pin二极管的电阻与正向电流以及半导体材料参数相关。可用简化表达式来表示 式中：W为I区的厚度；IF为正向电流；μ为I区双极迁移率
2011-07-17 19:25
`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
（VGS=10V）内阻：28mR（VGS=10V）结电容：550pF结电容：650pF类型：SGT工艺NMOS类型：SGT工艺NMOS开启电压：1.8V开启电压：1.8V封装：TO-252封装：TO-252惠海半导体MOSF
2021-06-11 14:05
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容
2018-07-18 10:09
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源
2021-12-30 07:40
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键
2023-06-16 06:04
，不过设计人员在根据这些参数比较不同的FET时要小心，这是因为测试条件决定一切，事情往往是如此！图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷
2022-11-18 08:05
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中MOSFET
2021-01-30 13:20
