电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称
2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
AD7911ARMZ 特性吞吐量:250 kSPS额定电压(VDD):2.35 V至5.25 V低功耗: 4 mW(典型值,250 kSPS、3 V电源) 13.5 mW(典型值,250 kSPS
2024-03-25 11:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AD7713ANZ 特性电荷平衡ADC- 24位无失码- ±0.0015%非线性度内置可编程滤波截止的低通滤波器读/写校准系数AD7713ANZ 双向微控制器串行接口3通道可编程增益
2024-03-25 11:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
应用设计。该器件的最大工作电压为 170V,能够提供高达 400W 的输出功率,适用于 150 MHz 的射频应用。凭借其优异的增益特性和稳定的工作性能,VRF2944
2024-10-23 10:59 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
IRLF120 功率MOSFET详解产品概述:IRLF120 是一款高效的N沟道功率MOSFET,专为低电压高电流应用设计。其优越的导通性能和快速的开关特性,使其成为电源转换和电机驱动的理想选择
2024-10-27 18:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AD7711ASQ是一款适合低频测量应用的完整模拟前端,可直接接受来自传感器的低电平信号,并产生串行数字输出。它采用Σ-Δ转换技术,可实现最高24位无失码性能。输入信号加在一个以模拟调制器为基础的专有可编程增益前端。调制器输出由片内数字滤波器处理。此数字滤波器的第一个陷波可通过片内控制寄存器进行编程,以便对滤波器截止和建立时间进行调整。该器件具有一个差分模拟
2024-03-25 11:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
IRFY440CM 功率MOSFET详解产品概述:IRFY440CM 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为高频开关应用而设计。它具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够有效提高电源转换效率
2024-10-27 18:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
高级汽车级桥式传感器信号调理芯片JHM150XJHM150X系列产品是针对惠斯通电桥式传感器信号设计的具有数字补偿算法高精度信号调理电路,可对传感器信号的偏移、灵敏度、温漂和非线性同时进行补偿。补偿算法的校准系数保存在片上的MTP中。 JHM1501是一款针对惠斯通电桥式传感器信号设计的具有数字补偿算法高精度信号调理电路,可对传感器信号的偏移、灵敏
2024-01-04 20:54 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
AD1674TD/883B 特性完整的单芯片12位、10 µs采样ADC片上采样保持放大器工业标准引脚排列8位和16位微处理器接口交流和直流规格经过全面测试单极性和双极性输入输入范围:±5 V
2024-03-25 09:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号