率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流
2016-08-15 14:31
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
MOSFET，呈线性增加。对降压拓扑结构来讲，该电流是负载电流，而漏源电压（VDS）是输入电压（VIN）。因此，在第二个时段（t2），功率损耗可通过等式1表示：MOSFET
2022-11-16 08:00
场效应晶体管的结构如图1所示，栅极，漏极和源极都在硅片的上表面，下部为衬底，当电流从漏极流向源极时，电流在硅片内部横向流动，而且主要从硅片的上表层流过，因此没有充分应用硅片的尺寸，
2016-10-10 10:58
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET
2011-08-17 14:18
FM7318A采用电流模式PWM 控制技术，具有逐周期峰值电流限制功能。由于缓冲二极管反向恢复电流和内部功率MOSFET栅极浪涌
2020-07-06 10:57
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
典型应用降压 - 升压配置模拟调光，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-16 08:35
典型应用降压 - 升压配置模拟调光，用于RT8482高压大电流LED驱动器控制器，用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑。 RT8482是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-14 08:47
典型应用降压 - 升压配置中的模拟调光，用于RT8475高压大电流LED驱动器控制器，用于降压和升压或降压 - 升压拓扑。 RT8475是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-16 08:39
