短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用，其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。
2024-04-17 12:22
电学测试是芯片测试的一个重要环节，用来描述和评估芯片的电性能、稳定性和可靠性。芯片电学测试包括直流参数测试、交流参数测试和高速数字信号性能测试等。
2023-10-26 15:34
现在所有电子产品中的芯片、放大器中的基本结构就是MOSFET，学好MOSFET是理解这些芯片、放大电路的前提。
2023-02-16 11:34
长度L随着V_DS的增加而略有减少，因此I_D随着V_DS的增加而略有增加。I_D可以使用以下公式表示 如果不考虑通道长度的变化，则V_A是无限的，而如果我们考虑通道长度的变化，则V_A是有限的值。随V_DS变化的I_D的伏安特性曲线如下。 二、MOSFET的结构和电学
2021-04-23 17:03
MOSFET是对称的，只有栅极是确定的，哪一端是源级，哪一端是漏极只有加载了电压才能确定。对于NMOS来说，它靠电子导电，电子的“源泉”定义为源级。所以电压低的一端是源级，电压高的一端是漏极。
2020-04-04 15:10
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。
2023-04-26 17:52
最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要
2025-02-02 13:48
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
MOSFET特性参数说明
2022-08-22 09:54
