BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
一种用于VCO综合参数的创新测量方案，该方案可以测量VCO的参数、相位噪声水平并测量相位噪声对控制电压的依赖性。 振荡器自其诞生以来就一直在通信、电子、航
2024-03-12 16:08 安铂克科技（上海）有限公司 企业号
纳米材料/纳米电子器件电学测试面临的挑战1、纳米级尺寸性能不同于宏尺寸材料与器件状态变化快，对测试仪器响应速度有要求2、测试信号微弱多在样品研发阶段单位面积产生的电压/电流的微弱信号电流
2024-09-12 15:05 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
