在高功率水平下，验证热插拔设计是否不超过MOSFET的能力是一个挑战。幸运的是，热行为和SOA可以在LTSPICE IV®等电路模拟器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符号包含由线性技术开发的MOSFET
2019-08-13 06:08
MOSFET的热阻（Rth）用来表征器件散热的能力，即芯片在工作时内部结产生的热量沿着表面金属及塑封料等材料向散热器或者环境传递过程中所遇到的阻力，单位是℃/W，其值越小越好。
2025-06-03 15:30
Vishay Intertechnology, Inc宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进
2010-06-25 10:20
主要是关于MOSFET的基础知识，但是发现看datasheet的时候还是一脸懵，有些参数好像是未曾相识，所以就有了现在的这个补充内容，话不多说正式开始。
2023-04-26 17:48
接下来接着看12N50数据手册。 上面这个参数是MOSFET的热阻，RBJC 表示MOS管结温到表面的热阻，这里我们知道RBJC=0.75。热阻的计算公式： ，其中，T
2021-08-13 16:54
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻（RDS（ON）），计算RDS（ON）看似是一个很好的着手之处。但MOSFET的导通电阻取决于结温TJ。返过来，TJ又取决于MOSFET中的功率放大器耗散和
2019-06-18 14:56
TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准
2010-01-14 09:01
TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCool NexFET 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相
2010-01-26 16:55
在进行功率MOSFET电路设计时需要注意的重要参数是电流、电压、功耗和热。功耗和热通常相互关联。
2022-07-26 17:18
