器件的系统时，电路设计人员应该注意以下的热因素： l 即使完全打开，MOSFET也会因为I2.R而耗散功率。（RDS（on）为器件导通电阻） l I2.RDS（on）损失将导致器件和其他地方的温度
2023-04-20 16:49
功率MOSFET来说，通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31
MOSFET 而言，其最大功率损耗是由温度及结-包装外壳间之热阻所决定的，即： 由上式可知，若能够有效减少热阻，则 Power MOSFET 所能承受之的最大功率损
2025-03-24 15:03
（ON）。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。·第三步：确定热要求 选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况
2011-08-17 14:18
。这两个参数可以通过如下两个公式获得，重点强调一点，与功耗温度曲线密切相关的重要参数热阻，是材料和尺寸或者表面积的函数。随着结温的升高，允许的功耗会随之降低。根据最大结温和热阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34
的散热通道的器件。最后还要量化地考虑必要的热耗和保证足够的散热路径。本文将一步一步地说明如何计算这些MOSFET的功率耗散，并确定它们的工作温度。然后，通过分析一个多相、同步整流、降压型CPU核电源中
2021-01-11 16:14
包括最大额定值表、电气特性表，性能曲线和封装等信息，后面将更详细地解说。数据表的第一页用于提供MOSFET概览，包括关键特性和目标应用。首页还包含最大额定值表、热特性、器件符号、引脚连接和导通电阻规格
2018-10-18 09:13
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
，最大功率是208WRjc是0.6℃/W降额曲线图的公式P=（Tj-Tc）/RjcTa≥25℃，P=PmaxTc＜25℃。2、加了散热器但是散热器是有限的情况，并且接触MOSFET与散热器接触是有热阻的情况
2021-09-08 08:42
)对 Power MOSFET 而言，其最大功率损耗是由温度及结-包装外壳间之热阻所决定的，即： 由上式可知，若能够有效减少热阻，则 Power MOSFET 所
2025-03-06 15:59
