MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、
2024-09-18 09:58
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二
2023-11-14 16:04
通过以下几个方面来解释： 1. MOSFET的基本结构和工作原理 MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏
2024-09-18 09:52
归因于 SDE 深度的降低。随着 CMOS尺寸的降低，为控制短沟道效应，结深也需要相应的降低。然而，降低源漏扩展区的深度会导致更高的电阻。这两个互相矛盾的趋势要求新的工
2025-05-27 12:01
与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时
2024-11-09 10:04
在电路中常会遇到漏极开路（Open Drain）和集电极开路（Open Collector）两种情形。漏极开路电路概念中提到的“
2017-11-09 12:11
MOSFET的选型需要考虑最大漏极－源极间电压、峰值电流、导通电阻Ron
2020-04-05 10:54
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从漏
2024-09-18 09:56
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2019-06-19 15:13
漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了
2017-11-09 14:17
