本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的
2012-07-09 17:45
设计。 01 TO-247-3与TO-247-4两种封装类型介绍 图1 传统TO-247-3封装的MOSFET类型 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如图1所示，其管脚由栅极、漏
2023-02-27 16:14
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏
2021-11-12 08:12
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
MOS管驱动电机，负载接在漏极端；MOS+运放组成的恒流源，负载也在漏极端。想问一下，负载可以放在源极吗？两者有什么区别？
2021-07-08 18:07
的反向阻断和导通特性有明显的影响。 为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为UGS，漏
2024-06-13 10:07
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏
2025-02-26 14:41
转换器拓扑图，其中Cgs、Cgd和 Cds分别为开关管MOSFET的栅源极、栅漏极和
2018-10-10 20:44
MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟
2023-02-27 11:52
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为
2016-10-10 10:58
