MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和
2021-01-27 07:59
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二
2023-05-16 14:33
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用?为何漏极48V导通后栅极就变成63V了?
2015-07-30 14:49
两层电源板,板子设计中有4个MOSFET管串联,由于只有两层,四个MOSFET管的3个源级要过大电流,所以用铜连接在一起;四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和
2018-07-24 16:19
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢?
2021-03-10 06:19
普通N MOS管给栅极一个高电压 ,漏极一个低电压,漏源极就能导通。这个
2019-06-21 13:30
!它在高侧栅极驱动器源连接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 电阻,我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高
2023-04-19 06:36
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
电压。将这些式子结合起来,可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数:VGS=-(R2/R1)VDS二极管规格书下载:
2021-04-08 11:37