MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二
2023-05-16 14:33
和漏极电荷Qgs:栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,
2017-01-13 15:14
MOSFET输入电容,Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前,漏极没有电流流过,时
2025-02-26 14:41
两层电源板,板子设计中有4个MOSFET管串联,由于只有两层,四个MOSFET管的3个源级要过大电流,所以用铜连接在一起;四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和
2018-07-24 16:19
不同。源极和漏极端子之间的间隙由N型杂质组成。当在源极和漏极等两个端子之间施加电
2022-09-13 08:00
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用?为何漏极48V导通后栅极就变成63V了?
2015-07-30 14:49
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面
2024-06-13 10:07
图1:开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时,驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分,您了解到
2022-11-16 08:00
!它在高侧栅极驱动器源连接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 电阻,我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高
2023-04-19 06:36