康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current
2021-04-14 06:56
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶
2023-02-21 16:36
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个M
2018-07-24 16:19
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断
2018-08-23 10:30
分路调节器（像齐纳二极管，但为低压），在运算放大器输入端形成参考电压。通过 R2 反馈重复形成相同的电压。由于漏电流实际与源电流完全一样，因此这样便得到输出
2018-09-26 11:41
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个2
2018-08-02 08:55
凑的系统），内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？可以说25A电流，还是应该使用外部体二极管？如果我使用外部体二
2019-05-29 06:12
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSF
2019-09-11 14:32
