，导致Cp上的电压降低。反激开关MOSFET 源极流出的电流（Is）波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中，测的的波形的一些关键点不是很清楚，下面针对反激
2018-10-10 20:44
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET
2019-04-08 03:57
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶
2023-02-21 16:36
，TO-247-4这种带辅助源极管脚的封装形式对碳化硅MOSFET这种高速功率开关带来的优势。 02 从数据的角度去分析共源杂散电感对开关损耗的影响 （1）双脉冲测
2023-02-27 16:14
基于Howland电流源的双极电流源
2019-07-26 06:15
本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current
2021-04-14 06:56
您好，我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例，但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果，TI Precision labs也看了，没有带MOS
2024-07-31 06:41
的反向阻断和导通特性有明显的影响。 为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为UGS，漏极到源极的电压为
2024-06-13 10:07
分路调节器（像齐纳二极管，但为低压），在运算放大器输入端形成参考电压。通过 R2 反馈重复形成相同的电压。由于漏电流实际与源电流完全一样，因此这样便得到输出
2018-09-26 11:41
率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极
2016-08-15 14:31
